IR2011PBF【PDF 3/17 页】IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP

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IR2011(S) & (PbF)

Dynamic Electrical Characteristics

V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF, T A = 25 ° C unless otherwise specified. Figure 1 shows the timing definitions.

Symbol

Definition

Min. Typ. Max. Units Test Conditions

t on

t off

t r

t f

DM1

DM2

Turn-on propagation delay

Turn-off propagation delay

Turn-on rise time

Turn-off fall time

Turn-on delay matching | t on (H) - t on (L) |

Turn-off delay matching | t off (H) - t off (L) |

—

V S = 0V

V S = 200V

Static Electrical Characteristics

V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to

COM and are applicable to all logic input leads: HIN and LIN. The V O and I O parameters are referenced to COM and are

applicable to the respective output leads: HO or LO.

Symbol

Definition

Min. Typ. Max. Units Test Conditions

V IH

V IL

V OH

V OL

I LK

I QBS

I QCC

I IN+

I IN-

V BSUV+

Logic “1” input voltage

Logic “0” input voltage

High level output voltage, V BIAS - V O

Low level output voltage, V O

Offset supply leakage current

Quiescent V BS supply current

Quiescent V CC supply current

Logic “1” input bias current

Logic “0” input bias current

V BS supply undervoltage positive going

2.2

—

8.2

—

140

7.0

—

9.0

—

0.7

2.0

0.2

210

230

1.0

9.8

μ A

V CC = 10V - 20V

I O = 0A

20mA

V B =V S = 200V

V IN = 0V or 3.3V

V IN = 3.3V

V IN = 0V

threshold

V BSUV-

V BS supply undervoltage negative going

7.4

8.2

9.0

threshold

V CCUV+

V CC supply undervoltage positive going

8.2

9.0

9.8

threshold

V CCUV-

V CC supply undervoltage negative going

7.4

8.2

9.0

threshold

I O+

Output high short circuit pulsed current

—

1.0

—

V O = 0V,

I O-

Output low short circuit pulsed current

—

1.0

—

PW ￡ 10 μ s

V O = 15V,

PW ￡ 10 μ s

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IR2011PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side, Low Side; Peak Output Current:1A; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Input Delay:80ns; Output ;RoHS Compliant: Yes

IR2011S 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127

IR2011SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR2011STR 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127

IR2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR2011STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

IR20153S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE

IR20153SPBF 功能描述:IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8-SOI RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127

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